一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201310187691.6
IPC分类号：G01B11/30
申请日期：
2013-05-20
申请人：
北京大学

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著录项信息

专利名称	一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置
申请号	CN201310187691.6	申请日期	2013-05-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-11	公开/公告号	CN103292747A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B11/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B11/00 以采用光学方法为特征的计量设备（G01B 9/00组中包括的各式仪器本身入G01B 9/00）〔2〕 G01B11/30 用于计量表面的粗糙度和不规则性	IPC分类号	G;0;1;B;1;1;/;3;0查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	黄如;李佳;黎明;樊捷闻;杨远程;宣浩然
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	余长江

摘要

本发明涉及一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置，装置包括：显微镜、多个光纤传感器以及后端处理设备，将光纤传感器的光纤探头置于Fin线条侧墙同一侧，光纤探头和Fin表面距离在准直光纤临界距离内发射入射光；收集经过散射的光束，将光束转化为电信号输出；根据该电信号计算得到表面粗糙度。本发明的方法解决了其他测量仪器无法测量垂直侧墙粗糙度这一问题，有利于半导体制备工艺中纳米线条制备的表征，对集成电路制备工艺研究有重要意义。本发明的装置结构简单，成本低。测量系统组成仪器简单易购买，光学系统测量，无需使用探针，没有消耗配件，成本相对较低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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