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多区加热器

发明专利有效专利

申请号：
CN201480020826.2
IPC分类号：H01L21/145;H01L21/22
申请日期：
2014-03-14
申请人：
部件再设计股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多区加热器
申请号	CN201480020826.2	申请日期	2014-03-14
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-20	公开/公告号	CN105518825A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/145 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/06 器件中的半导体所含有的硒或碲以游离态存在，而不是其他材料在半导体中的杂质〔2〕 H01L21/14 完整器件的处理，例如用电铸加工形成势垒〔2〕 H01L21/145 老化〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;1;4;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;2查看分类表>
申请人	部件再设计股份有限公司	申请人地址	美国密苏里州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	沃特洛电气制造公司	当前权利人	沃特洛电气制造公司
发明人	B·D·埃李奥特;F·巴尔马;A·G·埃利奥特;A·维伊特泽;D·G·雷克斯;R·E·舒斯特
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	柳爱国

摘要

一种硅片夹，包括具有轴线的轴和连接到轴的端部的板。所述板能够具有从所述轴线径向向外延伸超过所述轴的部分。温度传感器能够布置在板的所述部分中并且电引线能够从所述温度传感器延伸穿过轴，以用于在半导体制程期间测量板在温度传感器附近的温度。

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