半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201720809370.9
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/56;H01L33/60
申请日期：
2017-07-05
申请人：
斯内尔特种材料有限公司

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专利名称	半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置
申请号	CN201720809370.9	申请日期	2017-07-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;6;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0查看分类表>
申请人	斯内尔特种材料有限公司	申请人地址	美国新泽西州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	斯内尔特种材料有限公司	当前权利人	斯内尔特种材料有限公司
发明人	张汝志
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王锋

摘要

本申请公开了一种半导体发光装置的预封装结构，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。本申请还公开了一种半导体发光装置，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜的完全固化体。采用本申请的前述方案，可以大幅简化半导体发光器件的封装工艺，降低成本，并保障和提升半导体发光器件综合性能，例如其发光性能，包括发光的均匀性、出光效率等，以及有效改善相应发光装置的工作稳定性，延长其使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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