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发光二极管结构及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010169393.0
  • IPC分类号:H01L33/46;H01L33/20
  • 申请日期:
    2010-04-26
  • 申请人:
    亿光电子工业股份有限公司
著录项信息
专利名称发光二极管结构及其制作方法
申请号CN201010169393.0申请日期2010-04-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-11-09公开/公告号CN102237464A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/46IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;6;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人亿光电子工业股份有限公司申请人地址
中国台湾新北市树林区中华路6之8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人亿光电子工业股份有限公司当前权利人亿光电子工业股份有限公司
发明人林咸嘉;唐慈淯
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人骆希聪
摘要
一种发光二极管结构,包括发光元件层、图案化介电层、第一欧姆接触层、导电基板、第一电极层及第二电极层。发光元件层具有第一表面与相对第一表面的第二表面。图案化介电层配置于第一表面上并具有多个开口以暴露出部分发光元件层。第一欧姆接触层配置于图案化介电层上并透过这些开口而与发光元件层连接。导电基板配置于第一欧姆接触层上。第一电极层配置于第二表面上并覆盖部分发光元件层。第二电极层配置于导电基板上,且导电基板位于第一欧姆接触层与第二电极层之间。本发明另提供一种发光二极管结构的制作方法。

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