一种半导体器件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911089939.9
IPC分类号：--
申请日期：
2019-11-08
申请人：
武汉新芯集成电路制造有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件的制造方法
申请号	CN201911089939.9	申请日期	2019-11-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-14	公开/公告号	CN110797344A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	武汉新芯集成电路制造有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司	当前权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人	张超然;李赟;周俊
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	刘晓菲

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，提供衬底，所述衬底上形成有浮栅以及其上的堆叠层，所述堆叠层包括依次层叠的隔离层、控制栅和保护层，所述堆叠层的侧壁上形成有侧墙，所述堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区，所述擦除栅区一侧的浮栅延伸至所述堆叠层以及所述侧墙之外，所述擦除栅区一侧形成有擦除栅，所述字线区一侧形成有字线；选择性去除所述保护层；在所述擦除栅、字线以及控制栅上形成接触塞。该方法无需额外的掩膜和光刻工艺，简化了制造半导体器件的工艺流程，降低了器件的制造成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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