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相变化存储器材料转换区域制造方法及相变化存储器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310040182.0
  • IPC分类号:H01L45/00;H01L27/24
  • 申请日期:
    2013-02-01
  • 申请人:
    厦门博佳琴电子科技有限公司
著录项信息
专利名称相变化存储器材料转换区域制造方法及相变化存储器
申请号CN201310040182.0申请日期2013-02-01
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-08-06公开/公告号CN103972384A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人厦门博佳琴电子科技有限公司申请人地址
中国台湾苗栗县苗栗市水源里6邻林森街25号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人陈秋峰当前权利人陈秋峰
发明人陈秋峰;王兴亚
代理机构厦门市新华专利商标代理有限公司代理人李宁;唐绍烈
摘要
本发明公开相变化存储器材料转换区域制造方法,在二极管选择元件阵列结构的基础上,对应第二P型扩散层位置的钨插塞上及N阱的接触点电极上形成金属层;浅隔离槽的绝缘层上依次形成缓冲层、介质层、低温氮化物及绝缘层;位于N型扩散层之上的钨插塞上形成第一凹槽及第二凹槽,第二凹槽位于第一凹槽的底部;钨插塞之上依次形成第一侧墙、第二侧墙及第三侧墙,第二侧墙位于第一侧墙上,第三侧墙位于第二侧墙上,且延伸深入第二凹槽中;第一侧墙、第二侧墙及第三侧墙围成一空腔,空腔填满相变化存储器材料;相变化存储器材料上形成金属层。由改方法形成的相变化存储器,相变化存储器材料与钨插塞接触面积减小,减小改变相变化存储器单元所需的电流。

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