量子点与量子阱耦合的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02818270.7
IPC分类号：--
申请日期：
2002-07-31
申请人：
伊利诺斯州大学管理委员会;德克萨斯州系统大学管理委员会

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法律信息

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著录项信息

专利名称	量子点与量子阱耦合的半导体器件及其制造方法
申请号	CN02818270.7	申请日期	2002-07-31
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-12-15	公开/公告号	CN1555570
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	伊利诺斯州大学管理委员会;德克萨斯州系统大学管理委员会	申请人地址	美国伊利诺斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	伊利诺斯州大学管理委员会,德克萨斯州系统大学管理委员会	当前权利人	伊利诺斯州大学管理委员会,德克萨斯州系统大学管理委员会
发明人	N·小霍隆亚克;R·杜普依斯
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	戈泊;程伟

摘要

一种形成半导体器件的方法包括如下步骤：提供多个半导体层；提供用于将信号耦合到所述器件的多层和/或从所述器件的多层耦合信号的装置；提供设置在所述器件的相邻层之间的量子阱；和提供设置在一个所述相邻层中的量子点(825，875)层，且该量子点层与所述量子阱隔开，因此载流子能够以任意方向在所述量子阱和所述量子点之间隧穿。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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