一种半导体装置结构和其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202211119050.2
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/778;H01L21/56;H01L21/335;H01B1/08
申请日期：
2022-09-15
申请人：
英诺赛科（苏州）半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体装置结构和其制造方法
申请号	CN202211119050.2	申请日期	2022-09-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-18	公开/公告号	CN115206901A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;B;1;/;0;8查看分类表>
申请人	英诺赛科（苏州）半导体有限公司	申请人地址	江苏省苏州市吴江区黎里镇新黎路98号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英诺赛科（苏州）半导体有限公司	当前权利人	英诺赛科（苏州）半导体有限公司
发明人	刘小明;李思超
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王允方

摘要

本公开的一些实施例提供一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包括一衬底，其具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面；一第一氮化物半导体层，其设置于所述衬底的所述第一表面上;一第二氮化物半导体层，其设置于所述第一氮化物半导体层上，所述第二氮化物半导体层的一带隙大于所述第一氮化物半导体层的一带隙；一闸极电极，其设置在所述第二氮化物半导体层上；一第一电极，其设置于所述第二氮化物半导体层上；一第二电极，其设置于所述第二氮化物半导体层上；及一绝缘层，其具有一第一表面及与所述第一表面相对的一第二表面，所述绝缘层设置于所述衬底的所述第二表面上。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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