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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911175431.0
IPC分类号：H01L23/535;H01L23/48;H01L21/768
申请日期：
2019-11-26
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN201911175431.0	申请日期	2019-11-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-02	公开/公告号	CN111223842A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/535 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/535 包括内部互连的，例如穿交结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;5;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	蔡国强;陈志辉
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	聂慧荃;闫华

摘要

一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置的制造方法包括形成第一导电部件于介电层内。选择性地回蚀第一导电部件。形成蚀刻停止层于第一导电部件和介电层上，蚀刻停止层在第一导电部件上的高度与在介电层上的高度不同。图案化蚀刻停止层以暴露出第一导电部件的顶表面。横向蚀刻蚀刻停止层。在第一导电部件上沉积导电材料以形成第二导电部件。

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