低应力硅微谐振式加速度计

发明专利有效专利

申请号：
CN201010186252.X
IPC分类号：G01P15/097
申请日期：
2010-05-28
申请人：
南京理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	低应力硅微谐振式加速度计
申请号	CN201010186252.X	申请日期	2010-05-28
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2010-10-13	公开/公告号	CN101858927A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01P15/097 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01P 线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示（利用陀螺效应测量角速率入G01C 19/00；用于测量两个或多个运动变量的组合测量设备入G01C 23/00；声速测量入G01H 5/00；光速测量入G01J 7/00；通过无线电波或其他波的反射或再辐射，且基于传播效应（例如多普勒效应）、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T） G01P15/00 测量加速度；测量减速度；测量冲击即加速度的突变 G01P15/02 利用惯性力（G01P 15/14优先）〔1，7，2013.01〕 G01P15/08 用变换成电或磁量 G01P15/097 采用振动元件〔7〕	IPC分类号	G;0;1;P;1;5;/;0;9;7查看分类表>
申请人	南京理工大学	申请人地址	江苏省南京市孝陵卫200号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京理工大学	当前权利人	南京理工大学
发明人	裘安萍;施芹;苏岩;朱欣华
代理机构	南京理工大学专利中心	代理人	唐代盛

摘要

本发明公开了一种低应力硅微谐振式加速度计，加速度计结构制作在两层单晶硅上，在上层单晶硅片上制作加速度计机械结构，在机械结构的上表面淀积金属作为信号输入/输出线，下层单晶硅为加速度计的衬底，加速度计机械结构由质量块、上谐振器、下谐振器、两个上端一级杠杆放大机构、两个下端一级杠杆放大机构、中间应力释放框架、上端应力释放框架和下端应力释放框组成，上谐振器和下谐振器上下对称相邻位于质量块的中间，上谐振器的下端和下谐振器的上端通过中间应力释放框架与中间固定基座相连。本发明大大减小了加工残余应力和工作环境温度变化产生的热应力，提高了谐振器谐振频率的稳定性，且杠杆放大机构的放大倍数接近理想值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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