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一种氧化铝/GAP共晶陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010156716.6
  • IPC分类号:C04B35/50;C04B35/622;B33Y10/00;B33Y70/00;B33Y80/00
  • 申请日期:
    2020-03-09
  • 申请人:
    西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
著录项信息
专利名称一种氧化铝/GAP共晶陶瓷及其制备方法
申请号CN202010156716.6申请日期2020-03-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-17公开/公告号CN113264767A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/50IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;0;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;B;3;3;Y;1;0;/;0;0;;;B;3;3;Y;7;0;/;0;0;;;B;3;3;Y;8;0;/;0;0查看分类表>
申请人西北工业大学深圳研究院;西北工业大学申请人地址
广东省深圳市南山区高新南九道45号西北工业大学深圳三航科技大厦25层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西北工业大学深圳研究院,西北工业大学当前权利人西北工业大学深圳研究院,西北工业大学
发明人苏海军;申仲琳;刘海方;赵迪;刘园;郭敏;张军;刘林;傅恒志
代理机构北京高沃律师事务所代理人赵晓琳
摘要
本发明提供了一种Al2O3/GdAlO3共晶陶瓷的制备方法,包括以下步骤:将Al2O3粉末和Gd2O3粉末按共晶配比混合后制粒,得到球形粉末颗粒;采用CO2激光增材制造方法将所述球形粉末颗粒熔化凝固,得到单层共晶陶瓷;重复进行熔化凝固过程,得到Al2O3/GdAlO3共晶陶瓷;所述CO2激光增材制造方法的扫描速率为48~240mm/min,激光功率为300~500W。本发明采用CO2激光增材制造方法,并将扫描速率和激光功率控制在上述范围内,使制备得到的Al2O3/GdAlO3共晶陶瓷尺寸大且组织致密,本发明制备得到的Al2O3/GdAlO3共晶陶瓷的共晶层片间距可达0.2μm。

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