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制作薄膜磁头的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810173196.9
  • IPC分类号:G11B5/31
  • 申请日期:
    2008-11-06
  • 申请人:
    富士通株式会社
著录项信息
专利名称制作薄膜磁头的方法
申请号CN200810173196.9申请日期2008-11-06
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-09-23公开/公告号CN101540174
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11B5/31IPC分类号G;1;1;B;5;/;3;1查看分类表>
申请人富士通株式会社申请人地址
日本神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士通株式会社当前权利人富士通株式会社
发明人伊藤隆司;大松英晃
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉
摘要
本发明涉及制作薄膜磁头的方法,该方法包括以下步骤:通过在衬底上层叠薄膜来形成记录头部件;在记录头部件中形成气浮面;在记录头部件的基体上形成线圈层;在线圈层的线圈线上并且在由线圈线限定的除线圈层的中央部分之外的空间中形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成上部旁轭;在上部旁轭和第一绝缘层上形成第二绝缘层;对上部旁轭的上表面和第二绝缘层的上表面进行平坦化,以使所述两个表面成为连续的平坦表面;以及通过溅射在所述平坦表面上形成低热膨胀材料层。

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