用于低噪声下变频器的多层基片

发明专利无效专利

申请号：
CN200410028685.7
IPC分类号：H01P5/107
申请日期：
2004-03-10
申请人：
夏普株式会社

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著录项信息

专利名称	用于低噪声下变频器的多层基片
申请号	CN200410028685.7	申请日期	2004-03-10
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-10-06	公开/公告号	CN1534826
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P5/107 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P5/00 波导型耦合器件 H01P5/08 用于联接不同种类的传输线或器件的（H01P 1/16，H01P 5/04优先；联接类型相同尺寸不同的传输线入H01P 5/02）〔3〕 H01P5/10 用于耦合平衡与不平衡传输线或器件 H01P5/107 空腔波导至带状线的转换〔3〕	IPC分类号	H;0;1;P;5;/;1;0;7查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	土畑宏介
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	李玲

摘要

一种用于低噪声下变频器的本发明的多层基片(10)包括输送沿波导管(21)承载的电波信号的天线图案(15)，和堆叠在天线图案(15)上其间具有电介质层(31-33)的三个接地导电层(16-18)。在三个接地导电层(16-18)中的至少一个接地导电层(18)中，在比天线图案(15)更靠近波导管(21)的至少部分区域(30)中没有导体(40)。这提供了用于低噪声下变频器的多层基片，其中可以抑制电波信号的通过属性中的劣化。

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