半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN201910187329.6
IPC分类号：H01L29/739;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/861;H01L21/331
申请日期：
2015-05-12
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管
申请号	CN201910187329.6	申请日期	2015-05-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-26	公开/公告号	CN110061051A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/739 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/70 双极器件〔2〕 H01L29/72 晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕 H01L29/739 受场效应控制的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	R.巴布尔斯克;M.戴内塞;J.G.拉文;P.莱希纳;H-J.舒尔策
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	申屠伟进

摘要

本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，（i）栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者（ii）漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。

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