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一种多层单晶硅薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810075920.8
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2018-01-26
  • 申请人:
    沈阳硅基科技有限公司
著录项信息
专利名称一种多层单晶硅薄膜的制备方法
申请号CN201810075920.8申请日期2018-01-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-08-02公开/公告号CN110085510A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人沈阳硅基科技有限公司申请人地址
辽宁省沈阳市浑南区沈阳出口加工区浑南东路15-22号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人沈阳硅基科技有限公司当前权利人沈阳硅基科技有限公司
发明人党启森
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种多层单晶硅薄膜的制备方法,依次按照下述要求制备多层单晶硅薄膜:①首先,取两片表面洁净的单晶硅片采用等离子激活技术处理硅片表面后,进行预键合;②将键合后的硅片,传送至在200‑300℃的温度退火炉内进行6‑10小时的退火,既防止了过渡区的产生又将此两片硅片完成彻底键合,③将退火后的键合片进行减薄处理以达到需求的目标厚度;④将减薄处理后的SOI片,重新按照一片单晶硅片与另一片单晶硅片再次进行①‑③的操作,得到多层单晶硅薄膜。本发明采用等离子激活技术处理过的硅片键合时预键合力大,退火后键合效果优良;各层界面无明显电阻过渡区;可以对各层单晶硅的厚度进行有效控制;其综合技术效果良好;具有较为巨大的经济价值和社会价值。

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