加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

太阳能电池的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201280075188.5
  • IPC分类号:H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/18
  • 申请日期:
    2012-08-09
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称太阳能电池的制造方法
申请号CN201280075188.5申请日期2012-08-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-15公开/公告号CN104521002A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/0216IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人米泽雅人;西村邦彦;太田成人;森川浩昭
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人张丽
摘要
本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造:第一工序,对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21);第二工序,在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理,使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域,从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a);第三工序,在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理,使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域,从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供