一种半导体蚀刻方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010555328.1
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/30;H01L21/027
申请日期：
2010-11-19
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体蚀刻方法
申请号	CN201010555328.1	申请日期	2010-11-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-23	公开/公告号	CN102468188A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	陈育钟;洪士平;吴明宗
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明是有关于一种半导体蚀刻方法，可以在上层幕罩层的微影工艺完成后，在后续的蚀刻工艺中再次调整所欲蚀刻材料的最终临界尺寸。其中该幕罩层包含一硬式幕罩材料且具有至少一突出特征其具有一初始宽度。该方法包含导入包含碳和氟的一第一等离子体于一反应室中，其中碳和氟的残留物至少沉积于该反应室的内壁；此方法更包含使用一搭配该碳和氟的第二等离子体以移除该幕罩层的一部分，其中剩余的硬式幕罩材料形成一特征图案在该至少一突出特征处具有一个与该初始宽度不同的最终宽度；此方法还包含使用由该剩余的硬式幕罩材料提供的具有该最终宽度的该至少一突出特征作为一蚀刻幕罩来转移该特征图案至该半导体基板。

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