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一种有效减小电容的功率MOSFET器件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201520680481.5
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/423
申请日期：
2015-09-02
申请人：
深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种有效减小电容的功率MOSFET器件
申请号	CN201520680481.5	申请日期	2015-09-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司	申请人地址	江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢1层2011 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡市谷峰半导体有限公司	当前权利人	无锡市谷峰半导体有限公司
发明人	陆怀谷
代理机构	上海精晟知识产权代理有限公司	代理人	冯子玲

摘要

本实用新型公开了一种有效减小电容的功率MOSFET器件，具有衬底、外延层和沟槽结构，所述沟槽结构的内壁附着有绝缘栅氧化层，以及填入沟槽的栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅的高度小于所述沟槽结构的深度。本实用新型通过在沟槽功率MOSFET器件中减少多晶硅上部分的长度，减少了栅电极的长度，使得栅电极和源极区域之间的电容就会显著较少。

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