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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201520073963.4
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2015-02-03
  • 申请人:
    华天科技(昆山)电子有限公司
著录项信息
专利名称高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构
申请号CN201520073963.4申请日期2015-02-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人华天科技(昆山)电子有限公司申请人地址
江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华天科技(昆山)电子有限公司当前权利人华天科技(昆山)电子有限公司
发明人万里兮;黄小花;王晔晔;沈建树;翟玲玲;钱静娴
代理机构昆山四方专利事务所代理人盛建德;段新颖
摘要
本实用新型公开了一种高可靠性全封闭CMOS影像传感器结构,该结构包括影像传感芯片、开口、金属布线层、若干焊料凸点和塑封层,开口自芯片的第二表面向第一表面延伸形成,且开口的底部暴露出芯片的焊垫;金属布线层位于开口的内壁和影像传感芯片的第二表面上,且电性连接焊垫;焊料凸点位于第二表面上,且与金属布线层电性连接;塑封层包覆住影像传感芯片,且暴露出影像感应区和焊料凸点。通过形成整体塑封层对芯片进行防护,且塑封层采用隔潮、防腐或机械强度性能良好的塑封材料,本实用新型能够进一步增强CMOS影像传感器的可靠性,耐用性,提升影像传感芯片的抗干扰能力,满足CMOS影像传感器在恶劣环境下的应用需求。

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