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g-C3N4掺杂的聚酰亚胺复合材料、其制备及应用

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510296687.2
  • IPC分类号:C08G73/10;C08K5/3492;C08J5/18;C08L79/08
  • 申请日期:
    2015-06-03
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称g-C3N4掺杂的聚酰亚胺复合材料、其制备及应用
申请号CN201510296687.2申请日期2015-06-03
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-09-16公开/公告号CN104910381A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08G73/10IPC分类号C;0;8;G;7;3;/;1;0;;;C;0;8;K;5;/;3;4;9;2;;;C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省南京市四牌楼2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人杨洪;宗德超;郭玲香;林保平
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)代理人柏尚春
摘要
本发明公开了一种g-C3N4掺杂的聚酰亚胺复合材料,是将一种二胺单体ODA(二氨基二苯醚)与另外一种二酐单体PMDA(均苯四甲酸酐)或BPDA(3,3’,4,4’-联苯二酐)聚合形成聚酰胺酸,在形成聚酰胺酸溶液过程前,加入石墨型氮化碳(g-C3N4),体系酰亚胺化后,通过热压工艺制备成型。石墨型氮化碳(g-C3N4)通过物理作用掺杂到聚酰亚胺体系中。用上述方法获得的含g-C3N4的聚酰亚胺膜材料,有较好的热中子屏蔽性能,本发明还公开了上述g-C3N4掺杂聚酰亚胺材料的制备方法和中子辐射屏蔽应用。

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