在中温下弹坑检测的预处理方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711041685.4
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2017-10-31
申请人：
浙江华越芯装电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	在中温下弹坑检测的预处理方法
申请号	CN201711041685.4	申请日期	2017-10-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-13	公开/公告号	CN107799399A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	浙江华越芯装电子股份有限公司	申请人地址	浙江省绍兴市环城西路天光桥3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江华越芯装电子股份有限公司	当前权利人	浙江华越芯装电子股份有限公司
发明人	章建声;曹弦;黄迅驹;张青云
代理机构	绍兴市越兴专利事务所（普通合伙）	代理人	蒋卫东

摘要

本发明公开一种在中温下弹坑检测的预处理方法，先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，然后将整个1号烧杯中温水浴5‑10分钟，接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，并将整个2号烧杯中温水浴5‑10分钟，最后将预处理后的待检硅片取出清洗干净，置于高倍显微镜下检测。上述在中温下弹坑检测的预处理方法，通过腐蚀液A、腐蚀液B在中温状态下先后腐蚀，即可实现AL‑Si‑CU电极层上铜丝球焊质量的检测，整个预处理过程快速高效、安全环保，且操作方便。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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