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用于有气体可渗透坩埚壁的AIN单晶生产的方法和设备

发明专利无效专利

申请号：
CN200480001580.0
IPC分类号：C30B23/00;C30B29/40
申请日期：
2004-07-28
申请人：
Si晶体股份公司

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于有气体可渗透坩埚壁的AIN单晶生产的方法和设备
申请号	CN200480001580.0	申请日期	2004-07-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-01-04	公开/公告号	CN1717508
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	Si晶体股份公司	申请人地址	德国纽伦堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	Si晶体股份公司	当前权利人	Si晶体股份公司
发明人	迈克尔·拉思普;欧文·施米特;托马斯·斯特劳宾格尔;迈克尔·沃格尔
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	范明娥;巫肖南

摘要

本方法和设备用于制备AlN单晶(32)。从AlN源材料(30)的成分产生气相，该源材料位于坩埚(10)的贮存区(12)。AlN单晶(32)在坩埚(10)的结晶区(13)中从气相长出。至少一种气相成分，例如存在于气相中的各成分的一部分可以在坩埚(10)的外区(15)和坩埚(10)的内区(11)之间扩散，特别是在两个方向扩散。

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