一种超精细纳米多孔铜膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810275894.3
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/16;C23C14/58;C23F1/20
申请日期：
2018-03-30
申请人：
西安理工大学

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专利名称	一种超精细纳米多孔铜膜的制备方法
申请号	CN201810275894.3	申请日期	2018-03-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-10	公开/公告号	CN108385069A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8;;;C;2;3;F;1;/;2;0查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市金花南路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安理工大学	当前权利人	西安理工大学
发明人	胡义锋;吴兆虎;陈玉洁
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	宁文涛

摘要

本发明公开了一种超精细纳米多孔铜膜的制备方法，包括具体以下步骤，步骤1，切割硅片；步骤2，清洗基片，设置铜靶材和铝靶材的溅射电流和溅射电压，预溅射5mins，对基片进行清洗；步骤3，制备合金前驱体，用铜靶材和铝靶材的溅射，控制薄膜材料中铜铝的原子比在25％～35％：65％～75％，溅制得合金前驱体；步骤4，腐蚀合金前驱体，将制备出来的合金前驱体放在NaOH溶液或H2SO4溶液中腐蚀后放入去离子水中，除去离子杂质，即可制备出纳米多孔铜薄膜。本发明采用的磁控溅射制备合金薄膜，制备工艺简单，成本低，薄膜尺寸可控，脱合金方法操作简单，反应稳定，实用性强，制备出的纳米多孔铜韧带连续，尺寸小，孔径均匀。

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