连接结构、电光装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710301184.5
IPC分类号：H01L23/522;H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84;G02F1/1362
申请日期：
2007-12-26
申请人：
精工爱普生株式会社

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引证文献

著录项信息

专利名称	连接结构、电光装置及其制造方法
申请号	CN200710301184.5	申请日期	2007-12-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-02	公开/公告号	CN101211891
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精工爱普生株式会社	当前权利人	精工爱普生株式会社
发明人	森胁稔
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	陈海红;段承恩

摘要

本发明涉及连接结构、电光装置及其制造方法，例如，对液晶装置中的开口率下降进行抑制。中继层(93)，从第2层间绝缘层(42)的上表面(42a)延伸于第2层间绝缘层(42)的端面(42b)及下部电容电极(71)的端面(71b)。中继层(93)，通过接触孔(85)而电连接于像素电极(9a)。即，下部电容电极(71)，与中继层(93)一起对高浓度漏区域(1e)及像素电极(9a)间的电连接进行中继。从而，若依照于液晶装置(1)，则可以使形成于非开口区域的下部电容电极(71)、与中继层(93)的连接区域变小，或完全消失。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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