具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010483503.4
IPC分类号：C08J7/04;C08J5/18;C08G73/10;C09D127/16;C08L79/08;H01G4/18;H01G4/33
申请日期：
2020-06-01
申请人：
天津大学

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著录项信息

专利名称	具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜及其制备方法
申请号	CN202010483503.4	申请日期	2020-06-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-03	公开/公告号	CN111875828A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08J7/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08J 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理（塑料的加工，如成型入B29）〔2〕 C08J7/00 高分子物质成形制品的化学处理或涂层（镀复金属材料入C23C；金属的电介沉积入C25）〔2〕 C08J7/04 涂层〔2〕	IPC分类号	C;0;8;J;7;/;0;4;;;C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;G;7;3;/;1;0;;;C;0;9;D;1;2;7;/;1;6;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8;;;H;0;1;G;4;/;1;8;;;H;0;1;G;4;/;3;3查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	杜伯学;邢继文;李进;许然然;肖萌;冉昭玉
代理机构	天津市三利专利商标代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明属于聚合物薄膜领域，具体涉及一种具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜及其制备方法。具有高击穿场强的聚合物电容器薄膜包括聚酰亚胺PI薄膜以及聚偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氯二氟乙烯PVTC薄膜。本发明提出一种具有高击穿场强的聚合物电容器复合薄膜及其制备方法。结果表明复合薄膜的击穿场强相对于单层薄膜的场强大大提升。由于存在界面势垒作用，阻止了电荷迁移和电树枝的生长，复合薄膜的击穿场强均大于单层薄膜PI与P(VDF‑TrFE‑CFE)的击穿场强。当PI含量为83％时，复合薄膜的击穿场强达到最大，比相同厚度的PI薄膜的击穿场强高26％。

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