一种制备碳化硅单晶的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110200678.4
IPC分类号：C30B29/36;C30B23/02;C30B23/06
申请日期：
2021-02-23
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	一种制备碳化硅单晶的方法
申请号	CN202110200678.4	申请日期	2021-02-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-22	公开/公告号	CN113005518A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;3;/;0;6查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	姚泰;宋波;于永澔;张宇民
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法，包括以下步骤S1.以PVT法生长氮化铝衬底，所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上；S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器，以PVT法生长碳化硅单晶。相较于以单晶硅作为衬底，本发明采用氮化铝作为衬底，降低了衬底与碳化硅间的晶格失配和热膨胀系数的失配，因此可生长出缺陷密度更低的碳化硅单晶。

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