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一种具有埋入式栅极结构的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210066826.9
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2012-03-13
  • 申请人:
    广州新视界光电科技有限公司;华南理工大学
著录项信息
专利名称一种具有埋入式栅极结构的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
申请号CN201210066826.9申请日期2012-03-13
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2012-07-25公开/公告号CN102610524A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人广州新视界光电科技有限公司;华南理工大学申请人地址
广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A1栋第一、二层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广州新视界光电科技有限公司当前权利人广州新视界光电科技有限公司
发明人徐苗;罗东向;王磊;兰林锋;彭俊彪
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种具有埋入式栅极结构的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法,其包括以下制作步骤:在透明衬底上沉积一层缓冲层;在缓冲层上沉积金属单质或金属合金薄膜;沉积填充层,将栅极金属层完全覆盖;利用栅极金属层进行自掩膜处理,暴露出所述栅极金属层的上表面;使用阳极氧化的方法,在所述栅极金属层上制备一层绝缘膜作为栅绝缘层;阳极氧化完毕后将光刻胶去除;使用刻蚀方法将薄膜晶体管中不需要的金属引线去除。在栅绝缘层上采用物理气相沉积法制备金属氧化物薄膜。本发明的方法不需要增加光刻掩模板,工艺简单并容易实现,适用于基于金属氧化物薄膜晶体管,大尺寸、高分辨率、高刷新频率的驱动面板的制作,具有重要的产业应用价值。

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