一种垂直腔面发射激光器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201922213649.2
IPC分类号：H01S5/183;H01S5/026
申请日期：
2019-12-11
申请人：
长春中科长光时空光电技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种垂直腔面发射激光器
申请号	CN201922213649.2	申请日期	2019-12-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3;;;H;0;1;S;5;/;0;2;6查看分类表>
申请人	长春中科长光时空光电技术有限公司	申请人地址	吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1759号E305室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长春中科长光时空光电技术有限公司	当前权利人	长春中科长光时空光电技术有限公司
发明人	张星
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	田媛媛

摘要

本申请公开了一种垂直腔面发射激光器，包括垂直腔面发射激光器组件、位于垂直腔面发射激光器组件表面的第一绝缘层、位于第一绝缘层的上表面的加热组件；加热组件包括金属层、接线垫、连接金属层和接线垫的导线；垂直腔面发射激光器组件包括从下至上依次分布的N型背面电极、衬底、N面DBR层、位于N面DBR层上表面第一预设区域的凸起结构，和分布在N面DBR层上表面除第一预设区域、凸起结构侧面、凸起结构上表面第二预设区域的第二绝缘层，以及分布在第二绝缘层外表面的P型注入电极。由于加热组件的体积很小、结构简单、成本低，从而使激光器的体积小，同时又能降低复杂程度和成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供