一种磁隧道结单元及自旋电子器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201310214094.8
IPC分类号：H01L27/10;H01L27/115;G11C11/16
申请日期：
2013-05-31
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种磁隧道结单元及自旋电子器件
申请号	CN201310214094.8	申请日期	2013-05-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-17	公开/公告号	CN104218035A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;G;1;1;C;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	缪向水;倪含;程晓敏
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	朱仁玲

摘要

本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的交换耦合作用使得第二自由层磁矩的翻转带动了第一自由层磁矩的翻转；提高了磁隧道结单元中复合自由层的磁化翻转程度，降低了复合自由层的翻转电流密度，并在相同电流密度激励条件下提高了磁隧道结单元的TMR值。

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