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密封腔体中的独立式和非独立式的基于金属和金属合金的MEMS结构的晶片级单片CMOS集成及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201580042506.1
  • IPC分类号:H01L29/84
  • 申请日期:
    2015-06-10
  • 申请人:
    因森斯股份有限公司
著录项信息
专利名称密封腔体中的独立式和非独立式的基于金属和金属合金的MEMS结构的晶片级单片CMOS集成及其形成方法
申请号CN201580042506.1申请日期2015-06-10
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2017-04-19公开/公告号CN106575673A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/84IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;4查看分类表>
申请人因森斯股份有限公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德遁当前权利人德遁
发明人N.塔耶比;H.罗
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人邱军
摘要
提供了在平坦化CMOS基板上直接制造的金属MEMS结构的组装件,其含有特定用途集成电路(ASIC),通过ASIC互连层上的直接沉积和随后的微制造步骤制造,具有用于封装的集成的盖帽。MEMS结构包括至少一个MEMS装置元件,具有或不具有利用经由ASIC的金属互连体提供的电接触安置在CMOS ASIC晶片上的可移动部分。MEMS结构也可以由合金、导电氧化物、或几种的组合制成。通过CMOS基板的后加工中限定的接合垫来完成提供密封腔体的集成的盖帽、或在CMOS基板上直接制造集成的盖帽。

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