一种X射线光学元件的制备方法及系统

发明专利有效专利

申请号：
CN202110641339.X
IPC分类号：G21K1/06
申请日期：
2021-06-09
申请人：
中国科学院电工研究所

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著录项信息

专利名称	一种X射线光学元件的制备方法及系统
申请号	CN202110641339.X	申请日期	2021-06-09
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-09-03	公开/公告号	CN113345618A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21K1/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21K 未列入其他类目的粒子或电离辐射的处理技术；照射装置；γ射线或X射线显微镜〔2〕 G21K1/00 粒子或电离辐射的处理装置，如聚焦或慢化（电离辐射滤波器入G21K 3/00；中子、带电粒子、中性分子束或中性原子束的产生或加速入H05H 3/00至H05H 15/00）〔2〕 G21K1/06 应用衍射、折射或反射，如单色仪（G21K 1/10，G21K 7/00优先）〔2〕	IPC分类号	G;2;1;K;1;/;0;6查看分类表>
申请人	中国科学院电工研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北二条6号中科院电工所变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电工研究所	当前权利人	中国科学院电工研究所
发明人	李艳丽;孔祥东;张新月;韩立
代理机构	北京高沃律师事务所	代理人	王爱涛

摘要

本发明公开了一种X射线光学元件的制备方法及系统。该方法包括：确定多层膜的周期厚度；所述多层膜包括第一薄膜和第二薄膜；确定所述第一薄膜和所述第二薄膜的材料；根据反射率确定薄膜厚度比以及周期数；根据所述周期厚度以及所述薄膜厚度比确定第一薄膜厚度和第二薄膜厚度；根据薄膜材料、所述周期数、所述第一薄膜厚度和所述第二薄膜厚度，利用原子层沉积法在玻璃X射线单毛细管内表面依次沉积第一薄膜和第二薄膜，完成X射线光学元件的制备。采用该方法制备的X射线光学元件具有两大优势：一是元件在聚焦X射线的同时可实现X射线的单色化；二是X射线单毛细管内表面的多层膜周期厚度小、粗糙度小、界面清晰，单色化X射线的反射率高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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