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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680004863.3
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L27/04;H01L29/78
  • 申请日期:
    2016-06-13
  • 申请人:
    富士电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201680004863.3申请日期2016-06-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-09-26公开/公告号CN107210322A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人富士电机株式会社申请人地址
日本神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士电机株式会社当前权利人富士电机株式会社
发明人内藤达也
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
提高沟槽的内壁的绝缘膜的可靠性。提供一种半导体基板,该半导体装置具备半导体基板、形成在半导体基板的正面的虚设沟槽部、以及形成在半导体基板的正面的上方的、含有金属的第1正面侧电极,虚设沟槽部具有形成在半导体基板的正面的虚设沟槽、形成在虚设沟槽的内壁的绝缘膜、在虚设沟槽的内部与绝缘膜相比形成在内侧的虚设导电部、以及具有使虚设导电部的至少一部分露出的开口且在半导体基板的正面覆盖绝缘膜的保护部,第1正面侧电极具有形成在保护部的开口内的部分,并与虚设导电部接触。

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