加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种高功率的半导体断路开关

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310331972.4
  • IPC分类号:H02M9/04
  • 申请日期:
    2013-08-01
  • 申请人:
    西北核技术研究所
著录项信息
专利名称一种高功率的半导体断路开关
申请号CN201310331972.4申请日期2013-08-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-12-11公开/公告号CN103441699A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M9/04IPC分类号H;0;2;M;9;/;0;4查看分类表>
申请人西北核技术研究所申请人地址
陕西省西安市灞桥区平峪路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西北核技术研究所当前权利人西北核技术研究所
发明人王海洋;谢霖燊;何小平;张国伟;陈维青;陈志强;郭帆;贾伟;李俊娜;汤俊萍;孙凤荣
代理机构西北工业大学专利中心代理人王鲜凯
摘要
本发明提出的一种高功率的半导体断路开关,主开关选用反向触发双极晶闸管(reverseswitchingdynistor,RSD),反向触发双极晶闸管是一种新型高功率半导体闭合开关,与普通晶闸管相比,RSD的通流能力强、电流变化率、延时抖动小;选用快恢复晶闸管作为初级开关,减小换流过程的能量损失,提高了输出效率。本发明的有益效果是,本发明所提出的基于RSD开关换流的断路开关能够提高输出脉冲的峰值电流、电流变化率、输出效率,减低输出延时和抖动,特别适用于长脉冲大电流应用的领域中。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供