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带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110229921.1
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2011-08-11
  • 申请人:
    上海中科高等研究院
著录项信息
专利名称带有绝缘埋层的图像传感器及其制作方法
申请号CN201110229921.1申请日期2011-08-11
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-01-25公开/公告号CN102332462A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人上海中科高等研究院申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海高等研究院当前权利人中国科学院上海高等研究院
发明人苗田乐;陈杰;汪辉;汪宁;尚岩峰;田犁
代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)代理人孙佳胤;翟羽
摘要
本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器,所述图像传感器形成于支撑衬底表面,所述支撑衬底的材料是半导体材料,所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域,驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层,顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离;驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中,光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过P+掺杂的隔离层与支撑衬底电学隔离;所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。

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