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在叠层介质层中刻蚀开口的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810113691.0
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/311
  • 申请日期:
    2008-05-29
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称在叠层介质层中刻蚀开口的方法
申请号CN200810113691.0申请日期2008-05-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-12-02公开/公告号CN101593721
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人尹晓明;张世谋;沈满华;孙武
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
一种在叠层介质层中刻蚀开口的方法,包括:提供基底,所述基底上具有叠层介质层;在所述叠层介质层上形成光刻胶层,接着图形化该光刻胶层,形成开口图案;刻蚀所述开口图案底部的叠层介质层,至该叠层介质层中的最下面一层露出时为止;去除所述光刻胶层;刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层,形成贯穿所述叠层介质层的开口;其中,刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层的步骤中的刻蚀感应耦合等离子体刻蚀。本发明能够减小在叠成介质层中刻蚀开口时对开口侧壁造成的损伤。

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