一种含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811072043.5
IPC分类号：B01J23/18;B01J35/00;C01G29/00;B01D53/86;B01D53/56
申请日期：
2018-09-14
申请人：
重庆工商大学

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著录项信息

专利名称	一种含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂及其制备方法
申请号	CN201811072043.5	申请日期	2018-09-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-22	公开/公告号	CN109250755A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B01J23/18 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B0 分离；混合 B01 一般的物理或化学的方法或装置 B01J 化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备〔2〕 B01J23/00 不包含在B01J 21/00组中的，包含金属或金属氧化物或氢氧化物的催化剂（B01J 21/16优先）〔2〕 B01J23/16 砷、锑、铋、钒、铌、钽、钋、铬、钼、钨、锰、锝或铼的〔2〕 B01J23/18 砷、锑或铋〔2〕	IPC分类号	B;0;1;J;2;3;/;1;8;;;B;0;1;J;3;5;/;0;0;;;C;0;1;G;2;9;/;0;0;;;B;0;1;D;5;3;/;8;6;;;B;0;1;D;5;3;/;5;6查看分类表>
申请人	重庆工商大学	申请人地址	重庆市南岸区学府大道19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆工商大学	当前权利人	重庆工商大学
发明人	董帆;雷奔;李宇涵;王红
代理机构	北京弘权知识产权代理有限公司	代理人	逯长明;许伟群

摘要

本申请公开了一种含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂及其制备方法，通过所述制备方法制备出含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂，由于铋缺陷的形成，可在光催化剂的价带与导带之间构建一个缺陷中间能级，改变了光生电子的激发传输路径，促进了光生电荷的迁移转化，进而抑制了光生电子‑空穴对的复合，采用硼氢化钠将Bi3+还原为Bi0，使其具备了表面等离子共振(SPR)效应，促进光生电子的迁移效率的提高，同时，所制备出的含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂也拓宽了其可见光响应范围，相比于氧化铋光催化剂，本申请所制备出的含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂带边表现出红移，显示出增强的可见光吸收，提高了可见光的利用率。

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