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一种太阳能电池薄膜的生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010620327.0
IPC分类号：H01L31/18
申请日期：
2010-12-31
申请人：
常州天合光能有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种太阳能电池薄膜的生长方法
申请号	CN201010620327.0	申请日期	2010-12-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-17	公开/公告号	CN102154708A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	常州天合光能有限公司	申请人地址	江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天合光能股份有限公司	当前权利人	天合光能股份有限公司
发明人	刘亚锋
代理机构	常州市维益专利事务所	代理人	王凌霄

摘要

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其是一种薄膜的生长方法，主要步骤为对太阳能用晶体硅片进行表面制绒，送入氧化炉进行氧化工艺，对氧化膜进行退火处理，然后进行后续太阳能电池工艺。本发明氧化膜生长速度快，质量高，钝化性能优越；硅片在低温下进出炉管，氧化膜应力小，缺陷少；本发明的氧化工艺和退火工艺在同一个设备中进行，产量高。

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