加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

双向光控晶闸管芯片、光触发耦合器和固态继电器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510130205.6
  • IPC分类号:H01L27/144;H01L31/111
  • 申请日期:
    2015-03-24
  • 申请人:
    夏普株式会社
著录项信息
专利名称双向光控晶闸管芯片、光触发耦合器和固态继电器
申请号CN201510130205.6申请日期2015-03-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-09-30公开/公告号CN104952889A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/144IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;1查看分类表>
申请人夏普株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人夏普株式会社当前权利人夏普株式会社
发明人鞠山满;松本浩司;泽井敬一;铃木成次;一条尚生
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳;池兵
摘要
本发明提供具有横向结构的PNPN元件并且能够实现高电流化的双向光控晶闸管芯片、触发型耦合器和固态继电器。双向光控晶闸管芯片中,1个半导体芯片的表面上的第一光控晶闸管部(42a)和第二光控晶闸管部(42b)具有PNPN部,该PNPN部包括:在一个方向延伸的阳极扩散区域(43);衬底;控制极扩散区域(44);和在控制极扩散区域(44)内形成的阴极扩散区域(45),阳极扩散区域(43)和控制极扩散区域(44)的相互相对的两个侧边、以及阴极扩散区域(45)的与阳极扩散区域(43)相对的侧边(45a)中的至少任一个侧边的平面形状,形成为使从阳极扩散区域(43)向控制极扩散区域(44)和阴极扩散区域(45)供给的电流向一个方向的中央部的集中缓和的形状。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供