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晶体硅太阳能电池片冷“退火”消除翘曲工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810162013.3
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2008-11-13
  • 申请人:
    浙江弘晨光伏能源有限公司
著录项信息
专利名称晶体硅太阳能电池片冷“退火”消除翘曲工艺
申请号CN200810162013.3申请日期2008-11-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-06-16公开/公告号CN101740656A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人浙江弘晨光伏能源有限公司申请人地址
浙江省诸暨市安华镇弘晨光伏产业园浙江弘晨光伏能源有限公司 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江弘晨光伏能源有限公司当前权利人浙江弘晨光伏能源有限公司
发明人向小龙;何旭梅;王保军;郦晓苗;蒋伟平;何珊
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片冷“退火”消除翘曲工艺,包括以下步骤:1)通过隧道反应腔的三个工艺气体注入嘴向隧道反应腔内通入干燥的压缩空气,流量分别为50L/min、120L/min、30L/min;2)调节传输带速度为3米/分,打开入口与出口的隔断气帘,通过调节气体流量的大小使隔断气帘气体流速不小于5米/分;3)通过受控方式将隧道反应腔内温度稳定到-10℃±5℃;4)在20℃~25℃的室温下将电池片反向置于传输网带上送入隧道反应腔内,按设备的温度曲线进行低温退火;5)出口取片。本发明适用于晶体硅太阳能电池的生产。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供