一种砷化镓晶体生长用单晶炉

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202021102900.4
IPC分类号：C30B29/42;C30B11/00
申请日期：
2020-06-15
申请人：
高密普特电子设备有限公司

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著录项信息

专利名称	一种砷化镓晶体生长用单晶炉
申请号	CN202021102900.4	申请日期	2020-06-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/42 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/40 AⅢBv化合物〔3〕 C30B29/42 砷化镓〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;2;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人	高密普特电子设备有限公司	申请人地址	山东省潍坊市高密市高新技术产业开发区第二孵化器变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高密普特电子设备有限公司	当前权利人	高密普特电子设备有限公司
发明人	马争荣;王建玲
代理机构	济南诚智商标专利事务所有限公司	代理人	殷盛江

摘要

本实用新型涉及砷化镓技术领域，且公开了一种砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶部固定安装有炉盖，所述炉体的左侧壁内部固定安装有观察窗，所述观察窗的下方且位于炉体的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈，所述炉体的底部固定安装有夹持座，所述夹持座的底部固定安装有固定座。该砷化镓晶体生长用单晶炉，通过设置射频线感应圈，可以提供热量来源，设置电机、减速器和转动轴，可以使得炉体内部的受热箱可以转动，使得受热更加均匀，设置三个射频线感应圈的间距相等，通过控制单个与单个射频线感应圈之间的温度差，从而使得垂向温度梯度能够控制，提高成晶率的重复性，进而达到成晶率高的效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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