一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110386560.1
IPC分类号：C23F17/00;B82Y40/00
申请日期：
2011-11-29
申请人：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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专利名称	一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法
申请号	CN201110386560.1	申请日期	2011-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-06-05	公开/公告号	CN103132084A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F17/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F17/00 包括C23大类中所列入的至少一种工艺及C21D、C22F小类或C25大类中所列入的至少一种工艺之多步法金属材料表面处理工艺（C23C 28/00优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;7;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	申请人地址	江苏省苏州市工业园区若水路398号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	当前权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人	张瑞英
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王锋

摘要

本发明公开了一种半导体表面减反钝化复合结构的制备方法，包括步骤：Ⅰ.在半导体表面制备一层用于钝化表面的介质膜；Ⅱ.再在介质膜上制备基于高折射率介质材料的折射率渐变介质层，其中高折射率介质材料根据需要匹配的高折射率半导体材料及其需要减反的波长范围选为SiN、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5和Y2O3中的一种或者几种，介质膜与折射率渐变介质层组合为减反钝化复合结构。本发明提供的方法使得半导体表面非辐射复合减少，反射损耗减少，有效提高载流子收集效率，实现宽谱广角减反功能。

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