一种单原子内嵌富勒烯的大批量制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110679392.9
IPC分类号：C01B32/154;C01B23/00
申请日期：
2021-06-18
申请人：
中国人民解放军国防科技大学

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著录项信息

专利名称	一种单原子内嵌富勒烯的大批量制备方法
申请号	CN202110679392.9	申请日期	2021-06-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113184831A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/154 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/15 纳米级碳材料〔2017.01〕 C01B32/152 富勒烯〔2017.01〕 C01B32/154 制备〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;1;5;4;;;C;0;1;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国人民解放军国防科技大学	申请人地址	湖南省长沙市开福区德雅路109号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国人民解放军国防科技大学	当前权利人	中国人民解放军国防科技大学
发明人	周珅;谢方;程海峰;王珊珊;袁嘉悦;刘东青;祖梅;余金山
代理机构	长沙国科天河知识产权代理有限公司	代理人	邱轶

摘要

本发明公开一种单原子内嵌富勒烯的大批量制备方法，首先采用湿法刮图方式在沉积基底上刮涂富勒烯薄膜层；再将刮涂有富勒烯薄膜层的沉积基底铜箔安装在卷绕电机上，利用卷绕电机将富勒烯薄膜层卷绕至离子束轰击区域可实现卷对卷连续化批量离子注入；最后通过离子源将反应室内的非金属气体或惰性气体电离，含非金属或惰性气体正离子的气氛经过离子枪屏极与加速极，加速形成含非金属或惰性气体正离子的离子束，该离子束经过中和电极发射出来的电子中和后，轰击在铜箔上的富勒烯薄膜层上，获得内嵌富勒烯。本发明提供的制备方法工艺简单，可实现大批量连续制备，同时该制备方法对非金属与惰性气体具有普遍适用性。

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