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离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810186726.3
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2008-12-12
  • 申请人:
    威力盟电子股份有限公司
著录项信息
专利名称离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备
申请号CN200810186726.3申请日期2008-12-12
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2010-06-23公开/公告号CN101752476A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人威力盟电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人威力盟电子股份有限公司当前权利人威力盟电子股份有限公司
发明人苏耀庆;邓嘉玲;吕铭伦
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人魏晓刚
摘要
一种离心沉淀方法,包括以下的步骤。提供一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多数个荧光粒子。胶材填充在凹槽内,且覆盖晶片。荧光粒子分布在胶材中。接着,转动发光结构,借此使荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。

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