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引线接合及其形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610149236.7
  • IPC分类号:H01L23/49;H01L23/488;H01L21/60
  • 申请日期:
    2006-11-17
  • 申请人:
    飞思卡尔半导体公司
著录项信息
专利名称引线接合及其形成方法
申请号CN200610149236.7申请日期2006-11-17
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2008-06-04公开/公告号CN101192588
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/49IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;9;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人飞思卡尔半导体公司申请人地址
中国上海浦东新区A座20层松涛路560号张江大厦 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞思卡尔(中国)有限公司当前权利人飞思卡尔(中国)有限公司
发明人李哲;姜英伟;卢国平
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人康建峰
摘要
根据本发明,在半导体芯片和芯片载体之间具有多个引线接合互联的半导体封装中的引线接合(20)包括在接合地点(26)上的第一位置(24)形成的第一接合(22)、和在接合地点(26)上的第二位置(42)形成的第二接合(40),使得第二接合(40)至少部分地与第一接合(22)重叠。

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