加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种高精度指数型温度补偿CMOS带隙基准电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811357695.3
  • IPC分类号:G05F1/567
  • 申请日期:
    2018-11-15
  • 申请人:
    成都嘉纳海威科技有限责任公司
著录项信息
专利名称一种高精度指数型温度补偿CMOS带隙基准电路
申请号CN201811357695.3申请日期2018-11-15
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-02-12公开/公告号CN109324655A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F1/567
?
IPC结构图谱:
IPC分类号G;0;5;F;1;/;5;6;7查看分类表>
申请人成都嘉纳海威科技有限责任公司申请人地址
四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都嘉纳海威科技有限责任公司当前权利人成都嘉纳海威科技有限责任公司
发明人罗敏;郑薇;谭荣;李林华
代理机构成都正华专利代理事务所(普通合伙)代理人陈选中
摘要
本发明公开了一种高精度指数型温度补偿CMOS带隙基准电路,包括三个PMOS管、三个PNP型三极管、五个电阻和一个四输入运算放大器。本发明提供的电路所产生的基准电压在传统的一阶温度补偿的基础上添加了与三极管电流放大系数β相关的指数型温度补偿项,不同于一阶温度补偿及二阶曲率补偿,从而得到了更高精度的基准电压。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供