聚偏氟乙烯导电塑料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610012299.8
IPC分类号：B29C71/04;C08J3/28;C08J7/18;B29B13/08
申请日期：
2006-06-16
申请人：
北京工业大学

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著录项信息

专利名称	聚偏氟乙烯导电塑料的制备方法
申请号	CN200610012299.8	申请日期	2006-06-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-15	公开/公告号	CN1861375
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B29C71/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B29 塑料的加工；一般处于塑性状态物质的加工 B29C 塑料的成型或连接；塑性状态材料的成型，不包含在其他类目中的；已成型产品的后处理，例如修整（制作预型件入B29B 11/00；通过将原本不相连接的层结合成为各层连在一起的产品来制造层状产品入B32B 7/00至B32B 41/00）〔4〕 B29C71/00 不改变其形状的制品后处理；所用的设备（B29C44/56，B29C73/00优先；表面成型入B29C59/00）〔4，5，6，2006.01〕 B29C71/04 通过波动能量或粒子辐射〔4〕	IPC分类号	B;2;9;C;7;1;/;0;4;;;C;0;8;J;3;/;2;8;;;C;0;8;J;7;/;1;8;;;B;2;9;B;1;3;/;0;8查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都三鼎日新激光科技有限公司	当前权利人	成都三鼎日新激光科技有限公司
发明人	蒋毅坚;姬亚玲
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	刘萍

摘要

本发明公开了一种制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法，特别涉及一种通过准分子激光辐照制备聚偏氟乙烯导电塑料的方法。传统掺杂制备PVDF导电塑料的方法具有操作复杂且不易进行材料局部导电性选择加工的缺陷。本发明公开的方法中，采用脉冲频率为4～10Hz、波长为248nm的KrF激光和193nm的ArF激光作为高能辐照源，控制辐照在PVDF样品上的激光能量密度为140mJ/cm2～290mJ/cm2，在高绝缘塑料PVDF选定加工区域内快速制备出具有导电性的PVDF塑料。本发明不引入其他杂质就可实现绝缘到导电材料的相变，制备时间短、操作简单、可选择加工、工艺可控性强、重复性高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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