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替代栅极鳍片结构和方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310045924.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28
  • 申请日期:
    2013-02-05
  • 申请人:
    国际商业机器公司
著录项信息
专利名称替代栅极鳍片结构和方法
申请号CN201310045924.9申请日期2013-02-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-08-14公开/公告号CN103247685A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人国际商业机器公司申请人地址
美国纽约 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国际商业机器公司当前权利人国际商业机器公司
发明人B·A·安德森;A·布赖恩特;E·J·诺瓦克
代理机构北京市中咨律师事务所代理人于静;张亚非
摘要
本发明涉及替代栅极鳍片结构和方法。鳍片场效应晶体管(鳍片FET)结构和制造包括硅鳍片的鳍片FET的方法,该硅鳍片包括沟道区域和在沟道区域的每个端部上形成的源极/漏极(S/D)区域,其中沟道区域的整个底表面接触下绝缘体的顶表面并且S/D区域的底表面接触下硅锗(SiGe)层的顶表面的第一部分。鳍片FET结构还包括外部S/D区域,其接触每个S/D区域的顶表面和两个侧表面以及下SiGe层的顶表面的第二部分。鳍片FET结构还包括替代栅极或者栅极叠层,其接触在沟道区域的顶表面和两个侧表面上形成的保形介质,该栅极叠层被设置在下绝缘体之上且不在下SiGe层的第一和第二部分之上,其中替代栅极与外部S/D区域通过保形介质电绝缘。

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