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一种石墨烯光电探测器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811418278.5
  • IPC分类号:H01L31/09;H01L31/028;H01L31/18
  • 申请日期:
    2018-11-26
  • 申请人:
    武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
著录项信息
专利名称一种石墨烯光电探测器及其制备方法
申请号CN201811418278.5申请日期2018-11-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-04-16公开/公告号CN109638104A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/09IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请人地址
湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉邮电科学研究院有限公司,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司当前权利人武汉邮电科学研究院有限公司,武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
发明人胡晓;肖希;张宇光;陈代高;李淼峰;王磊;冯朋;余少华
代理机构武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人邱云雷
摘要
本发明公开了一种石墨烯光电探测器及制备方法,其包括:衬底,其长度、宽度及高度方向分别定义为X、Y、Z方向;沿X方向间隔地设于所述衬底上的光输入端和光输出端;位于所述光输入端和光输出端之间的光波导结构,其包括:设于所述衬底上的第一金属电极、折射率层和第二金属电极及设于所述高折射率层表面的石墨烯层,所述第一金属电极、折射率层和第二金属电极沿Y方向依次布置并相连;所述折射率层包括沿Y方向依次布置并相连的第一低折射率层、高折射率层和第二低折射率层,所述高折射率层两端分别与光输入端和光输出端相连,石墨烯层两端沿Y方向延伸至分别覆盖所述第一金属电极和第二金属电极。本发明可以提高探测响应度及光电探测带宽。

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