一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202011297238.7
IPC分类号：C30B23/02;C30B23/06;C30B29/22;H01B5/14;H01B13/00
申请日期：
2020-11-19
申请人：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所

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专利名称	一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法及其应用
申请号	CN202011297238.7	申请日期	2020-11-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-23	公开/公告号	CN112695380A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕 C30B23/02 外延层生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;3;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;2;2;;;H;0;1;B;5;/;1;4;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	申请人地址	浙江省宁波市镇海区中官西路1219号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	当前权利人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
发明人	张如意;曹彦伟;宋洋;彭绍勤;毕佳畅
代理机构	宁波甬致专利代理有限公司	代理人	张鸿飞

摘要

本发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材；利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3（LSAT）、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材，以氩气作为溅射气体，直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜；其中，所述溅射方法中，所述基片的温度为750℃‑950℃，所述Ar气的气压为25‑77Pa；根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115cm2/V∙s，室温载流子浓度可达1.2×1021cm‑3，室温电导率可达14000S/cm。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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