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含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910375455.4
  • IPC分类号:H01L21/306;H01L21/67
  • 申请日期:
    2019-05-07
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置
申请号CN201910375455.4申请日期2019-05-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-11-26公开/公告号CN110504165A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/306
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人折居武彦;浅田泰生;林军;萩原彩乃;入江伸次;田内启士;和田翔
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇;李茂家
摘要
本发明涉及含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置。本发明的课题在于,在对基板上的含硅膜进行蚀刻时,减小蚀刻后的含硅膜的表面粗糙度;和/或,在对具有形成有孔以使蚀刻对象部分露出的图案的基板上的含硅膜进行蚀刻时,使孔的内部的蚀刻后的含硅膜的表面平坦。本蚀刻装置是对基板上的含硅膜进行蚀刻的装置,其具备如下给气部(12):对上述含硅膜供给至少包含F2气的第一含氟气体和至少包含ClF3气体、IF7气体、IF5气体或SF6气体的第二含氟气体两者。

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